رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCM847DS/DG/B2 115
Product Overview
المُصنّع:
NXP Semiconductors
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCM847DS/DG/B2 115-DG
وصف:
NEXPERIA BCM847DS - SMALL SIGNAL
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
12967680
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCM847DS/DG/B2 115 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
45V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 5mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
15nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
250mW
التردد - الانتقال
250MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
رقم المنتج الأساسي
BCM847
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,438
اسماء اخرى
2156-BCM847DS/DG/B2 115-954
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Vendor Undefined
حالة الوصول
REACH Unaffected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PBSS5112PAP,115
NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
CA3096CM96
3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY
EMT2DXV6T5G
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,